CMP过滤

化学机械平面化（CMP）是用于制造半导体工业晶圆的抛光工艺，是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。化学机械抛光解决方案改进了创建多层半导体电路的过程。其中进行化学研磨的浆料我们一般称为研磨液slurry，由于化学不稳定性和处理步骤等问题，一般在研磨液slurry中会缓慢形成凝胶和附聚物，这些形成的大颗粒被输送到晶圆的表面，会导致晶圆表面微划痕等缺陷，从而导致晶圆产量重大损失，所以CMP过滤需要在不影响抛光性能的情况下去除导致大颗粒和团聚的缺陷至关重要